F1081 especificación: 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

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F1081
- 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1081 Datasheet y Espec

Fabricante : Polyfet RF

Embalaje :

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Aplicación : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor