F1280 especificación: 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

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F1280
- 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1280 Datasheet y Espec

Fabricante : Polyfet RF

Embalaje :

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Tamaño : 42 KB

Aplicación : 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor