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    • 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F3002 Datasheet y Espec

Fabricante : Polyfet RF 

Embalaje :  

Pins : 4 

Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C

Tamaño : 39 KB

Aplicación : 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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