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L225 especificación: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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L225 Datasheet y Espec
Fabricante : Polyfet RF
Embalaje : SO-8
Pins : 8
Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C
Tamaño : 41 KB
Aplicación : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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