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LB401 especificación: 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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LB401 Datasheet y Espec
Fabricante : Polyfet RF
Embalaje :
Pins : 4
Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C
Tamaño : 41 KB
Aplicación : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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