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  • LC801
    • 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LC801 Datasheet y Espec

Fabricante : Polyfet RF 

Embalaje :  

Pins : 6 

Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C

Tamaño : 40 KB

Aplicación : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

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