S8202 similares

  • S8201
    • 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • S8202
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

S8202 Datasheet y Espec

Fabricante : Polyfet RF 

Embalaje :  

Pins : 8 

Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C

Tamaño : 40 KB

Aplicación : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

S8202 PDF Download