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IRFY430M-T257 especificación: 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
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IRFY430M-T257 especificación: 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
Fabricante : Semelab
Embalaje : TO257AA
Pins : 0
Temperatura : Min 0 °C | Max 0 °C
Tamaño : 21 KB
Aplicación : 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)