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BD648 especificación: 100 V, PNP silicon power transistor
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BD648 especificación: 100 V, PNP silicon power transistor
Fabricante : Transys Electronics
Embalaje : TO-220
Pins : 3
Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C
Tamaño : 497 KB
Aplicación : 100 V, PNP silicon power transistor