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IRF830 especificación: 500 V,power field effect transistor
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IRF830 especificación: 500 V,power field effect transistor
Fabricante : Transys
Embalaje :
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 310 KB
Aplicación : 500 V,power field effect transistor