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IRFD110 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 1.0 A
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IRFD110 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 1.0 A
Fabricante : IR
Embalaje : HD-1
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 191 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 1.0 A