Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFD120
IRFD120 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.27 Ohm, ID = 1.3 A
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFD120
IRFD120 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.27 Ohm, ID = 1.3 A
Fabricante : IR
Embalaje : HD-1
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 193 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.27 Ohm, ID = 1.3 A