Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFI9530G
IRFI9530G especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.30 Ohm, ID = -7.7 A
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFI9530G
IRFI9530G especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.30 Ohm, ID = -7.7 A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 191 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.30 Ohm, ID = -7.7 A