Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFIBE20G
IRFIBE20G especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 6.5 Ohm, ID = 1.4 A
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFIBE20G
IRFIBE20G especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 6.5 Ohm, ID = 1.4 A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 184 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 6.5 Ohm, ID = 1.4 A