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IRFIBF30G especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A
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IRFIBF30G especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 183 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A