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1N5530B especificación: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 10.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-5% tolerance.
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1N5530B especificación: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 10.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-5% tolerance.
Fabricante : JGD
Embalaje : DO-35
Pins : 2
Temperatura : Min -65 °C | Max 200 °C
Tamaño : 267 KB
Aplicación : 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 10.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-5% tolerance.