Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > JGD Datasheet > 1N5530D
1N5530D especificación: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 10.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-1% tolerance.
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > JGD Datasheet > 1N5530D
1N5530D especificación: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 10.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-1% tolerance.
Fabricante : JGD
Embalaje : DO-35
Pins : 2
Temperatura : Min -65 °C | Max 200 °C
Tamaño : 267 KB
Aplicación : 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 10.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-1% tolerance.