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MTB3N120E especificación: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
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MTB3N120E especificación: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
Fabricante : Motorola
Embalaje : DPAK
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 354 KB
Aplicación : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount