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MGW12N120 especificación: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
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MGW12N120 especificación: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
Fabricante : ON Semiconductor
Embalaje : TO-247
Pins : 3
Temperatura : Min 0 °C | Max 0 °C
Tamaño : 149 KB
Aplicación : Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel