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2N6796 especificación: 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
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2N6796 especificación: 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
Fabricante : Semelab
Embalaje : TO39
Pins : 0
Temperatura : Min 0 °C | Max 0 °C
Tamaño : 19 KB
Aplicación : 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)