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2N6798 especificación: 200V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
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2N6798 Datasheet y Espec
Fabricante : Semelab
Embalaje : TO39
Pins : 0
Temperatura : Min 0 °C | Max 0 °C
Tamaño : 23 KB
Aplicación : 200V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
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