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IRF5N5210 especificación: HEXFET power MOSFET surface mount. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.060 Ohm, ID = -31A
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IRF5N5210 especificación: HEXFET power MOSFET surface mount. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.060 Ohm, ID = -31A
Fabricante : IR
Embalaje : SMD-1
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 129 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET surface mount. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.060 Ohm, ID = -31A