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IRG4BC40S especificación: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.32V @ VGE = 15V, IC = 31A
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IRG4BC40S especificación: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.32V @ VGE = 15V, IC = 31A
Fabricante : IR
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 172 KB
Aplicación : Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.32V @ VGE = 15V, IC = 31A