Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRF830A
IRF830A especificación: HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.40 Ohm , ID = 5.0A
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRF830A
IRF830A especificación: HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.40 Ohm , ID = 5.0A
Fabricante : IR
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 118 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.40 Ohm , ID = 5.0A