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IRF830S especificación: HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm , ID = 4.5A
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IRF830S especificación: HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm , ID = 4.5A
Fabricante : IR
Embalaje : SMD-220
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 192 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm , ID = 4.5A