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IRF1010E especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
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IRF1010E Datasheet y Espec
Fabricante : IR
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 214 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
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