IRF1010ES especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.

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IRF1010ES Datasheet y Espec

Fabricante : IR

Embalaje : DDPak

Pins : 3

Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C

Tamaño : 135 KB

Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.