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IRF1010NL especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
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IRF1010NL especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
Fabricante : IR
Embalaje : TO-262
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 160 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.